SI2323DDS-T1-GE3

功能描述:MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III

RoHS:

制造商:Vishay Semiconductors

晶体管极性:P-Channel

汲极/源极击穿电压:20 V

闸/源击穿电压:+/- 8V

漏极连续电流:5.3 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):39 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

封装:Reel

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